每個(ge) 單片機係統裏都有晶振，全程是叫晶體(ti) 震蕩器，在單片機係統裏晶振的作用非常大，他結合單片機內(nei) 部的電路，產(chan) 生單片機所必須的時鍾頻率，單片機的一切指令的執行都是建立在這個(ge) 基礎上的，晶振的提供的時鍾頻率越高，那單片機的運行速度也就越快。
晶振用一種能把電能和機械能相互轉化的晶體(ti) 在共振的狀態下工作，以提供穩定，精確的單頻振蕩。在通常工作條件下，普通的晶振頻率絕對精度可達百萬(wan) 分之五十。高級的精度更高。有些晶振還可以由外加電壓在一定範圍內(nei) 調整頻率，稱為(wei) 壓控振蕩器（VCO）。
晶振的作用是為(wei) 係統提供基本的時鍾信號。通常一個(ge) 係統共用一個(ge) 晶振，便於(yu) 各部分保持同步。有些通訊係統的基頻和射頻使用不同的晶振，而通過電子調整頻率的方法保持同步。
晶振通常與(yu) 鎖相環電路配合使用，以提供係統所需的時鍾頻率。如果不同子係統需要不同頻率的時鍾信號，可以用與(yu) 同一個(ge) 晶振相連的不同鎖相環來提供。

交流等效振蕩電路；實際的晶振交流等效電路如圖1b，其中Cv是用來調節振蕩頻率，一般用變容二極管加上不同的反偏電壓來實現，這也是壓控作用的機理；把晶體(ti) 的等效電路代替晶體(ti) 後如圖。其中Co，C1，L1，RR是晶體(ti) 的等效電路。
分析整個(ge) 振蕩槽路可知，利用Cv來改變頻率是有限的：決(jue) 定振蕩頻率的整個(ge) 槽路電容C=Cbe，Cce，Cv三個(ge) 電容串聯後和Co並聯再和C1串聯。可以看出：C1越小，Co越大，Cv變化時對整個(ge) 槽路電容的作用就越小。因而能“壓控”的頻率範圍也越小。實際上，由於(yu) C1很小（1E-15量級），Co不能忽略（1E-12量級，幾PF）。所以，Cv變大時，降低槽路頻率的作用越來越小，Cv變小時，升高槽路頻率的作用卻越來越大。這一方麵引起壓控特性的非線性，壓控範圍越大，非線性就越厲害；另一方麵，分給振蕩的反饋電壓（Cbe上的電壓）卻越來越小，最後導致停振。通過晶振的原理圖你應該大致了解了晶振的作用以及工作過程了吧。采用泛音次數越高的晶振，其等效電容C1就越小；因此頻率的變化範圍也就越小。
微控製器的時鍾源可以分為(wei) 兩(liang) 類：基於(yu) 機械諧振器件的時鍾源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置，適用於(yu) 晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為(wei) 簡單的分立RC振蕩器。

用萬(wan) 用表測量晶體(ti) 振蕩器是否工作的方法：測量兩(liang) 個(ge) 引腳電壓是否是芯片工作電壓的一半，比如工作電壓是51單片機的+5V則是否是2.5V左右。另外如果用鑷子碰晶體(ti) 另外一個(ge) 腳，這個(ge) 電壓有明顯變化，證明是起振了的。
晶振的類型有SMD和DIP型，即貼片和插腳型 。
先說DIP：常用尺寸有HC-49U/T，HC-49S，UM-1，UM-5，這些都是MHZ單位的。
再說SMD：有0705，0603，0503，0302，這裏麵又分四個(ge) 焊點和二個(ge) 焊點的，對我們(men) 公司來說默認的是四個(ge) 焊點的，兩(liang) 個(ge) 焊點的材料要求進口，周期長，一般說兩(liang) 個(ge) 焊點的做不了。（轉自電子產(chan) 品世界，船長demons）